Photostimulated Enhancement of Dislocation Glide in Gallium Arsenide Crystals

Abstract

The effect of illumination on the plastic properties of gallium arsenide crystals is studied experimentally. The illumination is found to reduce the plastic flow stress. The phenomenon is referred to as the negative photoplastic effect. The NPPE and the mean velocity of dislocations are investigated as functions of temperature, stress, and strain as well as intensity and wavelength of exciting light. Based on the analysis of experimental results a physical model is proposed for explaining the effect of photostimulated enhancement of dislocation glide. Der Belichtungseinflus auf die plastischen Eigenschaften von Galliumarsenidkristallen wird experimentell untersucht. Es wird gefunden, das die Belichtung die plastische Fliesgrenze reduziert. Das Phanomen wird als negativer photoplastischer Effekt bezeichnet. Der NPPE und die mittlere Versetzungsgeschwindigkeit werden als Funktionen sowohl der Temperatur, Spannung und Deformation als auch der Intensitat und Wellenlange des anregenden Lichtes untersucht. Auf der Grundlage einer Analyse der experimentellen Ergebnisse wird ein physikalisches Modell zur Erklarung des Effekts der photostimulierten Erhohung der Versetzungsgleitung vorgeschlagen.