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Peculiarities of selective isotropic Si etch to SiGe for nanowire and GAA transistors

已完结 10 由 居鸭 发布于 2024/12/18 15:21:44
DOI:10.1117/12.2514566
作者:C. Catano, Nicholas A. Joy, Christopher Talone, Shyam Sridhar, S. Voronin, P. Biolsi, A. Ranjan
文献类型:期刊论文
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International Society for Optics and Photonics (SPIE)International Society for Optics and Photonics (SPIE)
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