Journal of Computational Electronics

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中科院SCI期刊分区 WOS期刊分区历年影响因子历年发表投稿信息同类期刊

中文名称：

计算电子学杂志

期刊缩写：

J. Comput. Electron. copy

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影响因子：

期刊影响因子(Impact factor，IF) 即某刊平均每篇论文的被引用数，是表征期刊影响大小的一项定量指标，它实际上是某刊在某年被全部源刊物引证该刊前两年发表论文的次数，与该刊前两年所发表的全部源论文数之比。

2.5

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ISSN：

ISSN是由8个数字组成的编码，旨在识别各种报纸、专业杂志、画报、期刊，无论其性质或载体版本（纸版及电子版）。

print: 1569-8025
on-line: 1572-8137

研究领域：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED

创刊年份：

2002年

h-index：

h-index是指该期刊有h篇文章至少被引用h次，是一项简单易懂的评估指标，不像平均值会受极端值影响，可呈现出多数文章的被引用表现。Google使用过去5年的h-index数据评价期刊的影响力，“h5指数”比较难以被人为操控，不会因为多了一篇超高被引论文而明显增长，另一方面，刻意减少发文量也不会对提升h5指数有作用。

自引率：

4.80%

Gold OA文章占比：

Gold OA文章占比是指一个总体中金色OA文章数量占总体文章数量的比重。OA期刊的文章主要通过金色通道（Gold road，也称为Gold OA，即期刊官网）和绿色通道（Green road，或Green OA）实现开放获取。金色通道是开放获取期刊通过自己的官网来实现的，而绿色通道是通过把文章自存档于机构知识库(Institutional Repositories，比如哈佛大学学术库DASH）或学科知识库中来实现。

8.61%

原创研究文献占比：

100.00%

SCI收录类型：

Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)

期刊官网：

https://www.springer.com/10825 https://link.springer.com/journal/10825

期刊介绍英文：

he Journal of Computational Electronics brings together research on all aspects of modeling and simulation of modern electronics. This includes optical, electronic, mechanical, and quantum mechanical aspects, as well as research on the underlying mathematical algorithms and computational details. The related areas of energy conversion/storage and of molecular and biological systems, in which the thrust is on the charge transport, electronic, mechanical, and optical properties, are also covered. In particular, we encourage manuscripts dealing with device simulation; with optical and optoelectronic systems and photonics; with energy storage (e.g. batteries, fuel cells) and harvesting (e.g. photovoltaic), with simulation of circuits, VLSI layout, logic and architecture (based on, for example, CMOS devices, quantum-cellular automata, QBITs, or single-electron transistors); with electromagnetic simulations (such as microwave electronics and components); or with molecular and biological systems. However, in all these cases, the submitted manuscripts should explicitly address the electronic properties of the relevant systems, materials, or devices and/or present novel contributions to the physical models, computational strategies, or numerical algorithms.

CiteScore：

引用分数（英语：CiteScore，CS）是一种用来反映学术期刊最近发表文章“年平均被引用次数”的衡量指标。该指标由Elsevier于 2016 年 12 月推出，以替代常用的JCR影响因子（由Clarivate计算）。 CiteScore是Scopus中系列期刊指标的一部分，包括 SNIP(源文档标准化影响)，SJR (SClmago杂志排名)，引用文档计数以及引用百分比。

CiteScore	SJR	SNIP	CiteScore排名
4.5	0.294	0.824	学科排名百分位大类：Mathematics 小类：Modeling and Simulation 89 / 324 72% 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 295 / 797 63% 大类：Physics and Astronomy 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics 91 / 224 59% 大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials 121 / 284 57%

发文信息

中科院SCI期刊分区

中科院分区升级版是在基础版的基础上，消除了对预置学科体系的依赖，例如期刊-学科隶属关系。基于概率统计原理的期刊超越指数，使分区结果更加鲁棒，不易操纵，揭示出更多优秀的基础研究期刊。 2019-2021年，3年过渡期，会同时发布基础版和升级版，便于用户单位过渡、调整。2022年开始，将只发布升级版。

2025年3月20日发布

大类	小类	TOP期刊	综述期刊
4区工程技术	4区工程：电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 4区物理：应用 PHYSICS, APPLIED	否	否

2023年12月发布

大类	小类	TOP期刊	综述期刊
4区工程技术	4区工程：电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 4区物理：应用 PHYSICS, APPLIED	否	否

WOS期刊分区

WoS-JCR分区：SCIE、SSCI收录期刊主要按影响因子高低被分为四个区（Quartile），分别是Q1区，Q2区，Q3区，Q4区，各占25%。Q1区是影响因子最靠前25%的期刊，Q4区是靠后的25%的期刊。

学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q3PHYSICS, APPLIED

历年影响因子

2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年	2023年	2024年
1.1040	1.5260	1.4310	1.6370	1.5320	1.8070	1.9830	2.1000	2.2000	2.5000

历年发表

年文章数是指每年6月SCI发布的IF数据中所提供的上一年全年发文数量。如2018年7月-2019年6月，显示的是2017年的发文数.对极少数热门期刊，我们会在1月份更新为最新一年的发文数。

2012年	2013年	2014年	2015年	2016年	2017年	2018年	2019年	2020年	2021年	2022年
52	126	109	122	143	170	172	142	179	216	142

投稿信息

出版周期：

6 issues per year

出版语言：

English

出版国家(地区)：

UNITED STATES

初审时长：

11 days

审稿时长：

>12 weeks

投稿网址：

https://www.editorialmanager.com/JCEL

出版商：

Springer US

编辑部地址：

ONE NEW YORK PLAZA, SUITE 4600 , NEW YORK, United States, NY, 10004

PubMed链接：

http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=1569-8025%5BISSN%5D

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Tailoring the electronic structure and charge transport in triphenylamine-based hole transporting materials for high-performance perovskite solar cells

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