Etude par diffraction de R-X de la densité de charge de valence dans les deux semi-conducteurs tétraédriques ZnSiAs2 et ZnGeAs2

Abstract

La repartition des electrons de valence dans ZnSiAs2 et ZnGeAs2 est decrite a l'aide de charges de liaison gaussiennes, centrees sur les axes des liaisions. Les resultats obtenus permettent de retrouver la difference, constatee precedemment lors de l'etude des parametres structuraux, entre la liaison ZnAs et les liaisons SiAs ou GeAs, plus fortement covalentes. En outre, la densite de charge de valence ainsi decrite est tres voisine de celles qui resultent des calculs theoriques de structure de bandes. Gaussian bond charge model is used to describe the valence charge density in ZnSiAs2 and ZnGeAs2. The main feature obtained is the significant difference, already pointed out in the structural parameters study, between the ZnAs bond and the SiAs or GeAs bonds, which are more strongly covalent. Besides, the valence charge density appears to be close to that obtained from band structure calculations.