Influence of Surface Recombination on the Rate of Electron Leakage in Ridge-Waveguide Injection Lasers

Abstract

Simple formulae for the rate of electron leakage in injection lasers are derived, which take into account the surface recombination and an arbitrary number of heterojunctions. Applied to RW-lasers, where the surface beside the ridge is close to the active layer, a considerable enhancement of the leakage rate by the surface recombination is obtained. The influences of internal recombination, of drift fields, and of some device parameters on this effect are quantitatively investigated. Es werden einfache Formeln fur die Elektronenleckrate in Injektionslasern hergeleitet, welche die Oberflachenrekombination und beliebig viele Hetero-Ubergange berucksichtigen. Angewendet auf RW-Laser, bei denen die Oberflache seitlich des Stegs nahe an der aktiven Schicht liegt, ergibt sich ein spurbares Anheben der Leckrate durch die Oberflachenrekombination. Der Einflus der inneren Rekombination, von Driftfeldern und einiger Bauelementeparameter auf diesen Effekt wird quantitativ untersucht.