ВПЛИВ «ХЛОРИДНИХ» ОБРОБОК НА ЕФЕКТИВНІСТЬ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ПЛІВОК ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ СУБЛІМАЦІЇ В ЗАМКНУТОМУ ОБ’ЄМІ

G. Khrypunov, А. Meriuts, А. Dobrozhan, М. Khrypunov, T. Shelest
{"title":"ВПЛИВ «ХЛОРИДНИХ» ОБРОБОК НА ЕФЕКТИВНІСТЬ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ПЛІВОК ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ СУБЛІМАЦІЇ В ЗАМКНУТОМУ ОБ’ЄМІ","authors":"G. Khrypunov, А. Meriuts, А. Dobrozhan, М. Khrypunov, T. Shelest","doi":"10.36296/1819-8058.2022.1(68)837","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"З метою збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ)  на основі плівок телуриду кадмію, отриманих методом сублімації в замкнутому об’ємі, досліджено різні способи проведення «хлоридної» обробки для активації базового шару сонячних елементів. Сонячні елементи піддавалися як газофазній, так і твердотільній «хлоридній» обробці, що дало змогу провести порівняльний аналіз вихідних параметрів та світлових діодних характеристик. Було досліджено вплив часу відпалу базового шару телуриду кадмію в парах хлориду кадмію при газофазній «хлоридній» обробці. \nВстановлено, що оптимальний час цього процесу становить близько 10 хв, що забезпечує зростання коефіцієнта корисної дії (ККД) до 12,8 %. Проведене числове моделювання впливу зміни світлових діодних характеристик на величину ККД показало, що зростання ефективності СЕ SnO2:F/CdS/CdTe рівною мірою обумовлене зниженням послідовного електроопору та густини діодного струму насичення, а також зростанням шунтувального електроопору. При твердотільній «хлоридній» обробці на поверхню телуриду кадмію осаджувалися шари хлориду кадмію CdCl2 різної товщини з подальшим відпалом гетеросистеми на повітрі. Встановлено, що така обробка не дозволяє формувати СЕ з ККД більше 9 %, що обумовлено негативним впливом підвищеного  послідовного електроопору та більшими значеннями густини діодного струму насичення.  \nВстановлено, що вплив «хлоридної» обробки на коефіцієнт корисної дії пов’язаний з формуванням різних дефектних комплексів у базовому шарі. При газофазній «хлоридній» обробці формуються дрібні акцептори ClTe-VCd, а притвердотільній «хлоридній» обробці внаслідок надлишку хлору починають формуватися ізоелектронні комплекси 2ClTe-VCd. Вказані комплекси по-різному впливають на діодні параметри сонячних елементів, що приводить до суттєвої різниці ККД СЕ. \nОтже, встановлено, що для СЕ з базовим шаром телуриду кадмію, отриманим сублімацією в замкнутому просторі, оптимальним є газофазний метод проведення «хлоридної» обробки та визначені оптимальні значення умов її проведення. Бібл. 10, табл. 2, рис. 3.","PeriodicalId":427916,"journal":{"name":"Vidnovluvana energetika","volume":"101 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-04-30","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Vidnovluvana energetika","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.36296/1819-8058.2022.1(68)837","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

З метою збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ)  на основі плівок телуриду кадмію, отриманих методом сублімації в замкнутому об’ємі, досліджено різні способи проведення «хлоридної» обробки для активації базового шару сонячних елементів. Сонячні елементи піддавалися як газофазній, так і твердотільній «хлоридній» обробці, що дало змогу провести порівняльний аналіз вихідних параметрів та світлових діодних характеристик. Було досліджено вплив часу відпалу базового шару телуриду кадмію в парах хлориду кадмію при газофазній «хлоридній» обробці. Встановлено, що оптимальний час цього процесу становить близько 10 хв, що забезпечує зростання коефіцієнта корисної дії (ККД) до 12,8 %. Проведене числове моделювання впливу зміни світлових діодних характеристик на величину ККД показало, що зростання ефективності СЕ SnO2:F/CdS/CdTe рівною мірою обумовлене зниженням послідовного електроопору та густини діодного струму насичення, а також зростанням шунтувального електроопору. При твердотільній «хлоридній» обробці на поверхню телуриду кадмію осаджувалися шари хлориду кадмію CdCl2 різної товщини з подальшим відпалом гетеросистеми на повітрі. Встановлено, що така обробка не дозволяє формувати СЕ з ККД більше 9 %, що обумовлено негативним впливом підвищеного  послідовного електроопору та більшими значеннями густини діодного струму насичення.  Встановлено, що вплив «хлоридної» обробки на коефіцієнт корисної дії пов’язаний з формуванням різних дефектних комплексів у базовому шарі. При газофазній «хлоридній» обробці формуються дрібні акцептори ClTe-VCd, а притвердотільній «хлоридній» обробці внаслідок надлишку хлору починають формуватися ізоелектронні комплекси 2ClTe-VCd. Вказані комплекси по-різному впливають на діодні параметри сонячних елементів, що приводить до суттєвої різниці ККД СЕ. Отже, встановлено, що для СЕ з базовим шаром телуриду кадмію, отриманим сублімацією в замкнутому просторі, оптимальним є газофазний метод проведення «хлоридної» обробки та визначені оптимальні значення умов її проведення. Бібл. 10, табл. 2, рис. 3.
查看原文
分享 分享
微信好友 朋友圈 QQ好友 复制链接
本刊更多论文
求助全文
约1分钟内获得全文 去求助
来源期刊
CiteScore
0.40
自引率
0.00%
发文量
0
期刊最新文献
АНАЛІЗ ПРОЦЕСІВ ПРОМЕНИСТОГО ТЕПЛООБМІНУ В ГЕЛІОПАСИВНІЙ СИСТЕМІ ПОВІТРЯНОГО ОПАЛЕННЯ «ІНСОЛАР» ЗА РАХУНОК СОНЯЧНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ АНАЛІЗ МЕТОДІВ ІНТЕНСИФІКАЦІЇ ТЕПЛООБМІНУ В СОНЯЧНИХ КОЛЕКТОРАХ З ВІЛЬНИМ РЕЖИМОМ ЦИРКУЛЯЦІЇ ТЕПЛОНОСІЯ ІНВЕСТИЦІЇ В СОНЯЧНУ ЕНЕРГЕТИКУ В ДЕЦЕНТРАЛІЗОВАНІЙ ЕНЕРГОСИСТЕМІ ЯК ЧИННИК ЗМІЦНЕННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОЇ БЕЗПЕКИ УКРАЇНИ ПІД ЧАС ВІЙНИ АНАЛІЗ ЗМІНИ ВІДСТАНІ ЛІНЗИ ФРЕНЕЛЯ ДО КОНЦЕНТРАЦІЙНОЇ ПОВЕРХНІ ДЛЯ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ ФУНКЦІОНУВАННЯ ДВИГУНА СТІРЛІНГА COMBINATION OF PVT-COLLECTORS WITH USING OF CONTROLLED CONNECTIONS
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
现在去查看 取消
×
提示
确定
0
微信
客服QQ
Book学术公众号 扫码关注我们
反馈
×
意见反馈
请填写您的意见或建议
请填写您的手机或邮箱
已复制链接
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
×
扫码分享
扫码分享
Book学术官方微信
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:481959085
Book学术
文献互助 智能选刊 最新文献 互助须知 联系我们:info@booksci.cn
Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。
Copyright © 2023 Book学术 All rights reserved.
ghs 京公网安备 11010802042870号 京ICP备2023020795号-1