Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію

Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni Pub Date : 2023-02-20 DOI:10.15407/visn2023.02.079

Олександр Володимирович Дубіковський

{"title":"Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію","authors":"Олександр Володимирович Дубіковський","doi":"10.15407/visn2023.02.079","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. \nЦитування: Дубіковський О.В. Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію. Вісник НАН України. 2023. № 2. С. 79—84. https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079","PeriodicalId":431662,"journal":{"name":"Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni","volume":"46 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-02-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"1","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 1

Abstract

Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. Цитування: Дубіковський О.В. Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію. Вісник НАН України. 2023. № 2. С. 79—84. https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079

查看原文

微信好友朋友圈 QQ好友复制链接

本刊更多论文

我们开发了一种计算伏安特性的数值程序，并将其应用于分析具有 p-n 结的 InSb 二极管。确定了电活性杂质的最佳掺杂曲线。结果表明，为了实现高光电探测效率，有必要使用能量从 20 到 200 千伏的多能量离子注入。相应的技术已经实现。在工艺的不同阶段，使用了二次离子质谱方法，从而可以调整工艺参数，特别是控制杂质分布曲线。研究发现，铟和锑氧化物以及锑偏析会导致电流泄漏。研究发现了减少这种寄生效应的附加处理模式。对二极管结构的钝化过程进行了研究，结果表明氮化硅薄膜是最佳涂层。该技术已经开发出来，光电二极管的实验样品也已制作完成。引用：基于锑化铟的多元素红外光探测器制造技术的质谱研究。乌克兰国家科学院公报》。2023.№ 2.С. 79-84.https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文去求助

来源期刊

Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni

自引率

0.00%

发文量