Influence de l'introduction de défauts colonnaires amorphes sur les propriétés de transport d'un monocristal supraconducteur à haute Tc

Abstract

L'irradiation aux ions lourds de haute energie permet d'introduire des defauts colonnaires amorphes dans les supraconducteurs a haute T c . Ces centres de pinning artificiel, de morphologie connue, sont introduits en concentration facile a maitriser. L'efficacite de ces defauts a ete tres souvent demontree a partir de mesures d'aimantation. L'etude presentee ici : mesure de la resistance selon l'axe c, R c (T), en presence de defauts colonnaires paralleles a l'axe c, montre que ces defauts sont capables de s'opposer efficacement a l'effet des fluctuations thermiques. Les mesures ont ete faites sur le meme monocristal avant et apres l'irradiation.