{"title":"Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu","authors":"Handan Aydin, Fahrettin Yakuphanoğlu, Cihat Aydın","doi":"10.21541/APJES.442306","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Bu calismada, InTe amorf yariiletken malzemenin, X isini difraksiyonu, elektriksel iletkenligi, optik ve dielektrik ozellikleri arastirildi. X-isini difraksiyon sonuclari InTe numunesinin amorf yapiya sahip oldugunu gosterir. Numunenin elektriksel iletkenliginin sicakliga bagliligi arastirildi ve bulunan sonuclar numunenin bir amorf yariiletken oldugunu dogrular. InTe numunesi fotoiletkenlik ozellik gosterir. Numunenin optik band araligi ve optik sabitleri gecirgenlik ve yansima spektrumlari kullanilarak hesaplandi. Numunede dogrudan optik gecisler meydana geldi. Numunenin kirilma indisi dispersiyon egrisi tek osilator modeline uydu. Numunenin dielektrik ozellikleri frekansin ve sicakligin bir fonsiyonu olarak arastirildi. Dielektrik parametrelerin sicaklik ve frekansla degistigi bulundu. Elektrik modulus egrileri dielektrik relaksasyon olayini analiz etmek icin kullanildi.","PeriodicalId":294830,"journal":{"name":"Academic Platform Journal of Engineering and Science","volume":"255 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-05-25","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Academic Platform Journal of Engineering and Science","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.21541/APJES.442306","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Bu calismada, InTe amorf yariiletken malzemenin, X isini difraksiyonu, elektriksel iletkenligi, optik ve dielektrik ozellikleri arastirildi. X-isini difraksiyon sonuclari InTe numunesinin amorf yapiya sahip oldugunu gosterir. Numunenin elektriksel iletkenliginin sicakliga bagliligi arastirildi ve bulunan sonuclar numunenin bir amorf yariiletken oldugunu dogrular. InTe numunesi fotoiletkenlik ozellik gosterir. Numunenin optik band araligi ve optik sabitleri gecirgenlik ve yansima spektrumlari kullanilarak hesaplandi. Numunede dogrudan optik gecisler meydana geldi. Numunenin kirilma indisi dispersiyon egrisi tek osilator modeline uydu. Numunenin dielektrik ozellikleri frekansin ve sicakligin bir fonsiyonu olarak arastirildi. Dielektrik parametrelerin sicaklik ve frekansla degistigi bulundu. Elektrik modulus egrileri dielektrik relaksasyon olayini analiz etmek icin kullanildi.
本研究对 InTe 非晶半导体材料的 X 射线衍射、导电性、光学和介电特性进行了研究。X 射线衍射结果表明，InTe 样品具有非晶态结构。研究了样品电导率的温度依赖性，结果证实该样品是一种非晶半导体。InTe 样品具有光电导性。利用透射光谱和反射光谱计算了样品的光带隙和光学常数。样品中发生了直接光学转变。样品的折射率色散曲线符合单振子模型。研究了样品的介电性能与频率和温度的函数关系。发现介电参数随温度和频率变化。电模量图用于分析介电弛豫现象。
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
