Rh纳米结构消光特性模拟与分析

IF 0.9 4区物理与天体物理 Q4 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 激光与光电子学进展 Pub Date : 2023-01-01 DOI:10.3788/lop221634

江睿 Jiang Rui, 陈芳 Chen Fang, 郑昭慧 Zheng Zhaohui, 柯少颖 Ke Shaoying, 周锦荣 Zhou Jinrong, 刘冠洲 Liu Guanzhou, 黄志伟 Huang Zhiwei

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Abstract

近年来，Rh纳米结构因在紫外波段有较强的局域表面等离激元共振（LSPR）效应，且材料的物理化学性能稳定，引起了广泛关注。以Rh纳米结构为研究对象，采用时域有限差分法系统地模拟并分析200~400 nm波段圆柱状Rh纳米阵列结构的消光特性和电场强度分布，以此研究Rh纳米结构的局域表面等离激元共振特性。结果表明：Rh纳米结构的LSPR特性与其直径、高度、间距以及周围折射率都有极强的相关性。通过这些参数的变化可以有效调制Rh纳米结构的LSPR共振波段，这对实现Rh纳米结构LSPR效应在紫外吸收、探测等相关领域应用具有重要参考意义。

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