{"title":"FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN ÓPTICA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRÓNICA.","authors":"Hernando Ariza Calderón","doi":"10.18257/raccefyn.27(104).2003.2076","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.","PeriodicalId":53418,"journal":{"name":"Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales","volume":"100 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-10-11","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"4","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.18257/raccefyn.27(104).2003.2076","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"Q2","JCRName":"Arts and Humanities","Score":null,"Total":0}
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Abstract
En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.
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