Zur Kinetik der durch optische Grundgitteranregung in einem Überschußhalbleiter erzeugten Raumladungen

Abstract

Die in einem kapazitiv isolierten, d. h. nicht direkt kontaktierten Uberschushalbleiter endlicher Lange durch einseitige optische Grundgitteranregung erzeugte Raumladung liefert durch Influenz uber die senkrecht zur Einstrahlrichtung liegenden Isolierschichten an einem RC-Glied im Ausenkreis einen mesbaren Spannungsabfall. Es wird der zeitliche Verlauf dieser Spannung fur den Fall einer periodisch in der Zeit sich andernden Anregungsintensitat und fur den Ein- bzw. Ausschaltvorgang einer konstanten Intensitat berechnet. A theoretical study is made of the space charge arising in a finite n-type semiconductor when electron-hole pairs are created by photo-excitation. This space charge is found to give rise to a measurable voltage in an external circuit capacity-coupled to the sample. Expressions are derived for the rise and decay of this voltage, and its time dependence in the case of periodical illumination.