Specific Features of Piezogalvanomagnetic Effects in Oxygen-Containing Silicon Crystals in the Presence of Thermal Donors-I and -II

Abstract

Quantitative changes of the thermal ionization energy of thermal donor levels depending on the mechanical stress magnitude in a sample are determined both for thermal donors-I (heat treatment 450 °C) and for thermal donors-II (heat treatment 650 °C) by means of piezogalvanomagnetic effects in oxygen-containing p-Si crystals recompensated by thermal donors into the n-type. Different nature of ionization energy changes is established for levels ϵ1 ≈ 0.064 and ϵ2 ≈ 0.14 eV in the double-charged thermal donors-I. All the experimental data indicate that the dependence of the thermal donor level position on the pressure is affected also by the nature of the centre. Quantitative Anderungen der thermischen Ionisierungsenergie von Thermodonatorenniveaus, die von der mechanischen Spannungsgrose in der Probe abhangen, werden sowohl fur Thermodonatoren-I (Temperung 450 °C) als auch fur Thermodonatoren-II (Temperung 650 °C) mittels piezogalvanomagnetischer Effekte in sauerstoffhaltigen p-Si-Kristallen, die durch Thermodonatoren in den n-Typ rekompensiert werden, bestimmt. Eine unterschiedliche Art der Ionisierungsenergieanderungen wird fur die Niveaus ϵ1 ≈ 0,064 und ϵ2 ≈ 0,14 eV der doppeltgeladenen Thermodonatoren-I festgestellt. Alle experimentellen Werte zeigen, das die Druckabhangigkeit der Lage der Niveaus der Thermodonatoren auch von der Art des Zentrums beeinflust wird.