{"title":"The Annealing Effect on the Conduction Mechanism of Copper Ferrite","authors":"A. A. Ghani, S. Mazen, A. Ashour","doi":"10.1002/PSSA.2210840142","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The resistivity and thermopower of spinel cubic CuFr2O4 before and after annealing at 973 K is measured in the temperature range from 300 up to 650 K. Annealing changes the sign of conduction from p-type to n-type. A hopping activation energy of the order of 0.1 eV is associated with the drift mobility of electrons in n-type conductivity. \n \n \n \nDer Widerstand und die Thermospannung von kubischen CuFe2O4-Spinellen vor und nach Tem-perung bei 973 K wird im Temperaturbereich von 300 his zu 650 K gemessen. Die Temperung andert das Vorzeichen der Leitfahigkeit von p-nach n-Typ. Eine Hopping-Aktivierungsenergie von der Grosenordnung von 0,1 eV ist vrrknupft mit der Driftbeweglichkeit drr Elrktronen bei n-Photoleitung.","PeriodicalId":17793,"journal":{"name":"July 16","volume":"92 1","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1984-07-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"9","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"July 16","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2210840142","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
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Abstract
The resistivity and thermopower of spinel cubic CuFr2O4 before and after annealing at 973 K is measured in the temperature range from 300 up to 650 K. Annealing changes the sign of conduction from p-type to n-type. A hopping activation energy of the order of 0.1 eV is associated with the drift mobility of electrons in n-type conductivity.
Der Widerstand und die Thermospannung von kubischen CuFe2O4-Spinellen vor und nach Tem-perung bei 973 K wird im Temperaturbereich von 300 his zu 650 K gemessen. Die Temperung andert das Vorzeichen der Leitfahigkeit von p-nach n-Typ. Eine Hopping-Aktivierungsenergie von der Grosenordnung von 0,1 eV ist vrrknupft mit der Driftbeweglichkeit drr Elrktronen bei n-Photoleitung.