{"title":"Characterization of Plasma Etching of Molybdenum Polycid Conductor Stacks in Cl2/CF4 and Cl2/CF4/O2","authors":"R. Handke, G. Lippert","doi":"10.1002/CRAT.2170230525","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process. \n \n \n \nDer Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.","PeriodicalId":78140,"journal":{"name":"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society","volume":null,"pages":null},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1988-05-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Bulletin / Atlantic-Cape May County Dental Society","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/CRAT.2170230525","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
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Abstract
The present paper is concerned with an extremly anisotropic two-step patterning process for Mo2Si/poly-Si double layers with an etch-stop on thick P-doped CVD-SiO2. As etching gas Cl2/CF4/O2 and Cl2/CF4 are used. By means of etch rate dependencies, volatilities of possible reaction products and results, obtained from the literature it is attempted to develop a simple qualitative model on the chemism of the process.
Der Artikel beschreibt einen auserst anisotropen plasmachemischen Zwei-Phasen-Strukturierungsprozes fur MoSi/poly-Si-Doppelschichten mit Atzstopp auf diekem P-dotiertem CVD-SiO2. Als Atzgase werden Cl2/CF4 und Cl2/CF4/O2 verwendet. Anhand von Atzratenabhangigkeiten, Fluchtigkeiten moglicher Reaktionsprodukte und Ergebnissen aus der Literatur wird versucht, ein einfaches qualitatives Modell zum Chemismus des Prozesses zu entwickeln.
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