Bond Charges and Electronic Charge Transfer in Ternary Semiconductors

Abstract

By means of a simple molecule-theoretic model of “linear superposition of two-electron molecules” the bond charges between nearest neighbours and the effective charges of ions are calculated for ternary zinc-blende structure alloys as well as chalcopyrite semiconductors. Taking into account both, the charge transfer among the ions caused by the differences of electronegativities of atoms used and between the bonds created by the internal stress of the lattice a nearly unvaried averaged bond charge amount of the alloy is found, but rather dramatically changed local bond charge parameters in comparison with the respective values of binary compounds used. This fact should influence the noncentral force interaction in such semiconductors. Mittels eines einfachen molekultheoretischen Modells der linearen Superposition von Zweielektronenmolekulen werden die Bindungsladungen zwischen nachsten Nachbarn und die effektiven Ladungen der Ionen fur ternare Festkorperlosungen mit Zinkblendestruktur und fur Chalkopyrit-Halbleiter berechnet. Der Ladungstransfer unter den lonen wird berucksichtigt, der durch die Differenz der atomaren Elektronegativitaten verursacht wird, und zwischen den Bindungen, der sich aus dem inneren Streszustand des Gitters erklart. Im Vergleich zu den Werten der entsprechenden binaren Verbindungen wird ein nahezu unveranderter mittlerer Bindungsladungsbetrag gefunden. Diese Tatsache sollte Einflus auf die Nichtzentralkraftwechselwirkung in solchen Halbleitern haben.