Messung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren im Germanium mit Hilfe der Photoleitung und des Photo-Magneto-Elektrischen Effektes

Abstract

Es wird eine Methode zur Bestimmung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren in Halbleitern vorgeschlagen und am Beispiel des Germaniums experimentell angewendet. Die Methode beruht auf einem Vergleich des Leitfahigkeitsverlaufs mit dem Verlauf der Photoleitung oder des photo-magneto-elektrischen Effektes bei Abtasten des Kristalls mit einer schmalen Lichtsonde. Es wird gezeigt, das die Rekombinationszentren in anderer Weise ungleichmasig im Kristall eingebaut werden als die normalen Dotierungselemente. A method is proposed for the study of inhomogeneous distributions of recombination centres in semiconductors. The method involves a comparison of the spatial distributions of conductivity and photoconductivity or PEM voltage, measured by scanning the crystal with a light probe. For Ge it is shown that the distribution of recombination centres differs from that of other impurity centres.