横向声电电压的瞬态行为及半导体表面的无损表征

IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics Pub Date : 1985-09-01 DOI:10.1109/T-SU.1985.31662

B. Davari, P. Das

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引用次数: 11

摘要

一种新的延迟线结构和半导体与表面声波相互作用的新概念为表征半导体表面和界面提供了一种方法。分析的信号是横向声电电压，其瞬态时间常数与载波寿命和表面载波产生速度有关。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

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Transient Behavior of Transverse Acoustoelectric Voltage and Nondestructive Characterization of Semiconductor Surfaces

Une nouvelle structure de ligne a retard et les nouveaux concepts d'interaction entre le semiconducteur et les ondes acoustiques de surface offrent une methode de caracterisation des surfaces et interfaces de semiconducteurs. Le signal analyse est la tension acoustoelectrique transversale, dont la constante de temps en regime transitoire est reliee a la duree de vie des porteurs et a la vitesse de generation des porteurs en surface

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IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics

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