非化学计量碲对碲化铅和碲化锡性能的影响

May 16 Pub Date : 1988-05-16 DOI:10.1002/PSSA.2211070108
D. Zayachuk, P. M. Starik, V. Shenderovskii
{"title":"非化学计量碲对碲化铅和碲化锡性能的影响","authors":"D. Zayachuk, P. M. Starik, V. Shenderovskii","doi":"10.1002/PSSA.2211070108","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The effect of overstoichiometric tellurium on the electric activity of impurities and on the magnetic susceptibility of the Pb1−xSnxTe single crystals is studied. The existence of the above mentioned tellurium is shown to reduce the donor activity of cadmium and stibium impurities, and also to increase the magnetic susceptibility of crystals of materials under investigation. The results are interpreted using the model of the overstoichiometric tellurium forming in crystals of plumbum and tin tellurides at least the two types of native defects: the point defects and the precipitatetype bulk defects. The concentration of the former is determined mainly by the composition of the crystals and can not exceed some fixed value for the given x. The concentration of the latter can vary in wide range and is distributed over the bulk of the grown crystals in a substantially nonuniform manner. \n \n \n \nDer Einflus von uberstochiometrischem Tellur auf die elektrische Aktivitat von Storstellen und auf die magnetische Suszeptibilitat von Pb1−xSnxTe-Einkristallen wird untersucht. Es wird gezeigt, das die Existenz des oben erwahnten Tellur die Donatoraktivitat von Kadmium- und Antimon-Storstellen reduziert und die magnetische Suszeptibilitat von Kristallen des untersuchten Materials erhoht. Die Ergebnisse werden mit dem Modell des uberstochiometrischen Tellur in Blei- und Zinntelluridkristallen und wenigstens zwei Arten von Eigendefekten interpretiert: Punktdefekte und Volumenprazipitate. Die Konzentration der ersteren wird hauptsachlich durch die Zusammensetzung der Kristalle bestimmt und kann einen bestimmten festen Wert fur ein gegebenes x nicht uberschreiten. Die Konzentration der letzteren kann in einem weiten Bereich variieren und ist uber das Volumen der gewachsenen Kristalle in einer wesentlich ungleichformigen Weise verteilt.","PeriodicalId":148242,"journal":{"name":"May 16","volume":"44 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1988-05-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"6","resultStr":"{\"title\":\"The Effect of Nonstoichiometric Tellurium on the Properties of Lead and Tin Tellurides\",\"authors\":\"D. Zayachuk, P. M. Starik, V. Shenderovskii\",\"doi\":\"10.1002/PSSA.2211070108\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"The effect of overstoichiometric tellurium on the electric activity of impurities and on the magnetic susceptibility of the Pb1−xSnxTe single crystals is studied. The existence of the above mentioned tellurium is shown to reduce the donor activity of cadmium and stibium impurities, and also to increase the magnetic susceptibility of crystals of materials under investigation. The results are interpreted using the model of the overstoichiometric tellurium forming in crystals of plumbum and tin tellurides at least the two types of native defects: the point defects and the precipitatetype bulk defects. The concentration of the former is determined mainly by the composition of the crystals and can not exceed some fixed value for the given x. The concentration of the latter can vary in wide range and is distributed over the bulk of the grown crystals in a substantially nonuniform manner. \\n \\n \\n \\nDer Einflus von uberstochiometrischem Tellur auf die elektrische Aktivitat von Storstellen und auf die magnetische Suszeptibilitat von Pb1−xSnxTe-Einkristallen wird untersucht. Es wird gezeigt, das die Existenz des oben erwahnten Tellur die Donatoraktivitat von Kadmium- und Antimon-Storstellen reduziert und die magnetische Suszeptibilitat von Kristallen des untersuchten Materials erhoht. Die Ergebnisse werden mit dem Modell des uberstochiometrischen Tellur in Blei- und Zinntelluridkristallen und wenigstens zwei Arten von Eigendefekten interpretiert: Punktdefekte und Volumenprazipitate. Die Konzentration der ersteren wird hauptsachlich durch die Zusammensetzung der Kristalle bestimmt und kann einen bestimmten festen Wert fur ein gegebenes x nicht uberschreiten. Die Konzentration der letzteren kann in einem weiten Bereich variieren und ist uber das Volumen der gewachsenen Kristalle in einer wesentlich ungleichformigen Weise verteilt.\",\"PeriodicalId\":148242,\"journal\":{\"name\":\"May 16\",\"volume\":\"44 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1988-05-16\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"6\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"May 16\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070108\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"May 16","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211070108","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
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摘要

研究了过量化学计量碲对杂质电活性和Pb1−xSnxTe单晶磁化率的影响。上述碲的存在降低了镉和锑杂质的供体活性,也增加了所研究材料晶体的磁化率。用过量化学计量碲在铅和碲化锡晶体中形成的模型,解释了至少两种类型的天然缺陷:点缺陷和沉淀型体缺陷。前者的浓度主要由晶体的组成决定,在给定的x下不能超过某一固定值。后者的浓度变化范围很广,并且在生长的晶体中以基本上不均匀的方式分布。Der Einflus von uberstochiometrischem和auf die magnetische Suszeptibilitat von Pb1−xSnxTe-Einkristallen wind untersucht。在此基础上,研究人员提出了一种新型的金属材料:金属材料、金属材料、金属材料、金属材料等。[2][1]在德国,我们的研究对象是德国的生物计量学模型,德国的生物计量学模型,德国的生物计量学模型,德国的生物计量学模型,德国的生物计量学模型。在自然界中,人类的生存能力和生存能力比在人类的生存能力和生存能力更强。在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国。
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The Effect of Nonstoichiometric Tellurium on the Properties of Lead and Tin Tellurides
The effect of overstoichiometric tellurium on the electric activity of impurities and on the magnetic susceptibility of the Pb1−xSnxTe single crystals is studied. The existence of the above mentioned tellurium is shown to reduce the donor activity of cadmium and stibium impurities, and also to increase the magnetic susceptibility of crystals of materials under investigation. The results are interpreted using the model of the overstoichiometric tellurium forming in crystals of plumbum and tin tellurides at least the two types of native defects: the point defects and the precipitatetype bulk defects. The concentration of the former is determined mainly by the composition of the crystals and can not exceed some fixed value for the given x. The concentration of the latter can vary in wide range and is distributed over the bulk of the grown crystals in a substantially nonuniform manner. Der Einflus von uberstochiometrischem Tellur auf die elektrische Aktivitat von Storstellen und auf die magnetische Suszeptibilitat von Pb1−xSnxTe-Einkristallen wird untersucht. Es wird gezeigt, das die Existenz des oben erwahnten Tellur die Donatoraktivitat von Kadmium- und Antimon-Storstellen reduziert und die magnetische Suszeptibilitat von Kristallen des untersuchten Materials erhoht. Die Ergebnisse werden mit dem Modell des uberstochiometrischen Tellur in Blei- und Zinntelluridkristallen und wenigstens zwei Arten von Eigendefekten interpretiert: Punktdefekte und Volumenprazipitate. Die Konzentration der ersteren wird hauptsachlich durch die Zusammensetzung der Kristalle bestimmt und kann einen bestimmten festen Wert fur ein gegebenes x nicht uberschreiten. Die Konzentration der letzteren kann in einem weiten Bereich variieren und ist uber das Volumen der gewachsenen Kristalle in einer wesentlich ungleichformigen Weise verteilt.
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