{"title":"晶体和玻璃态SiO2中x射线致发光余辉性质的研究","authors":"I. Godmanis, W. Hohenau","doi":"10.1002/PSSA.2211110136","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"The X-ray induced luminescence and its afterglow is investigated in natural and synthetic quartz crystals as well as in different types of glassy SiO2. In all types of SiO2 the luminescence intensity cannot be correlated directly with the impurity content of the investigated samples. A comparison of luminescence afterglow measurements of crystalline samples containing different impurities indicates that at low temperatures the luminescence is caused by forbidden intracenter transitions (constant afterglow below 150 K) of radiation induced defects (oxygen vacancy–peroxy linkage). Above 180 K the decrease of the afterglow decay time is explained by additional thermally activated ((370 ± 50) meV) radiationless (Frank-Codon) transitions, competing the luminous transitions. At high temperatures an impurity dependent luminescence occurs, detectable till 800 K, whose afterglow behavior is to be connected with the well known thermoluminescence. As in the case of silver or copper doped quartz, because of its afterglow behavior, the luminescence of quartz glasses is attributed to intracenter excitations at isolated not yet identified luminescence centers. \n \n \n \nSowohl in naturlichen und synthetischen Quarzkristallen als auch in verschiedenen Quarzglastypen wird die Rontgenlumineszenz beschrieben. Die Intensitat der registrierten Lumineszenz kann in allen untersuchten SiO2-Typen nicht direkt mit dem Fremstoffgehalt korreliert werden. Ein Vergleich von Lumineszenz-Nachleuchtuntersuchungen bei kristallinen Proben mit unterschiedlichem Verunreinigungsgrad zeigt, das bei tiefen Temperaturen die Lumineszenz durch an sich verbotene innere Ubergange (konstimtes Nachleuchten unterhalb 150 K) strahlungsinduzierter Defekte (Sauerstoffleerstelle-Peroxydbindung) verursacht wird. Die Abnahme der oberhalb 180 K registrierten Abklingzeit des Nachleuchtens wird durch thermisch aktivierte ((370 ± 50) meV) strahlungslose Ubergange (Frank-Condon) erklart, die in Konkurrenz zu den lumineszierenden Ubergangen stehen. Bei hohen Temperaturen wird eine verunreinigungsabhangige Lumineszenz bis etwa 800 K beobachtbar, deren Nachleuchtverhalten mit der bekannten Thermolumineszenz zusammenhangt. Ebenso wie im Falle silber- oder kupferdotierter Quarze wird die Lumineszenz von Quarzglasern aufgrund ihres Nachleuchtverhaltens inneren Ubergangen, ansonsten isolierter Lumineszenzzentren, zugeschrieben, welche allerdings bis jetzt unidentifiziert sind.","PeriodicalId":240242,"journal":{"name":"16 January","volume":"52 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1989-01-16","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"3","resultStr":"{\"title\":\"On the Nature of Afterglow of the X-Ray Induced Luminescence in Crystalline and Glassy SiO2\",\"authors\":\"I. Godmanis, W. Hohenau\",\"doi\":\"10.1002/PSSA.2211110136\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"The X-ray induced luminescence and its afterglow is investigated in natural and synthetic quartz crystals as well as in different types of glassy SiO2. In all types of SiO2 the luminescence intensity cannot be correlated directly with the impurity content of the investigated samples. A comparison of luminescence afterglow measurements of crystalline samples containing different impurities indicates that at low temperatures the luminescence is caused by forbidden intracenter transitions (constant afterglow below 150 K) of radiation induced defects (oxygen vacancy–peroxy linkage). Above 180 K the decrease of the afterglow decay time is explained by additional thermally activated ((370 ± 50) meV) radiationless (Frank-Codon) transitions, competing the luminous transitions. At high temperatures an impurity dependent luminescence occurs, detectable till 800 K, whose afterglow behavior is to be connected with the well known thermoluminescence. As in the case of silver or copper doped quartz, because of its afterglow behavior, the luminescence of quartz glasses is attributed to intracenter excitations at isolated not yet identified luminescence centers. \\n \\n \\n \\nSowohl in naturlichen und synthetischen Quarzkristallen als auch in verschiedenen Quarzglastypen wird die Rontgenlumineszenz beschrieben. Die Intensitat der registrierten Lumineszenz kann in allen untersuchten SiO2-Typen nicht direkt mit dem Fremstoffgehalt korreliert werden. Ein Vergleich von Lumineszenz-Nachleuchtuntersuchungen bei kristallinen Proben mit unterschiedlichem Verunreinigungsgrad zeigt, das bei tiefen Temperaturen die Lumineszenz durch an sich verbotene innere Ubergange (konstimtes Nachleuchten unterhalb 150 K) strahlungsinduzierter Defekte (Sauerstoffleerstelle-Peroxydbindung) verursacht wird. Die Abnahme der oberhalb 180 K registrierten Abklingzeit des Nachleuchtens wird durch thermisch aktivierte ((370 ± 50) meV) strahlungslose Ubergange (Frank-Condon) erklart, die in Konkurrenz zu den lumineszierenden Ubergangen stehen. Bei hohen Temperaturen wird eine verunreinigungsabhangige Lumineszenz bis etwa 800 K beobachtbar, deren Nachleuchtverhalten mit der bekannten Thermolumineszenz zusammenhangt. Ebenso wie im Falle silber- oder kupferdotierter Quarze wird die Lumineszenz von Quarzglasern aufgrund ihres Nachleuchtverhaltens inneren Ubergangen, ansonsten isolierter Lumineszenzzentren, zugeschrieben, welche allerdings bis jetzt unidentifiziert sind.\",\"PeriodicalId\":240242,\"journal\":{\"name\":\"16 January\",\"volume\":\"52 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1989-01-16\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"3\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"16 January\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110136\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"16 January","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1002/PSSA.2211110136","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
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摘要
研究了天然石英晶体和合成石英晶体以及不同类型的玻璃态SiO2的x射线致发光及其余辉。在所有类型的SiO2中,发光强度与所研究样品的杂质含量不能直接相关。对含不同杂质晶体样品的发光余辉测量结果的比较表明,在低温下,发光是由辐射诱导缺陷(氧空位-过氧键)的禁止中心内跃迁(低于150 K的恒定余辉)引起的。在180 K以上,余辉衰减时间的减少可以解释为额外的热激活((370±50)meV)无辐射(Frank-Codon)跃迁,与发光跃迁竞争。在高温下,杂质依赖性发光发生,直到800 K才可检测到,其余辉行为与众所周知的热释光有关。与掺银或铜的石英一样,由于其余辉行为,石英玻璃的发光归因于在孤立的尚未确定的发光中心的中心内激发。因此,在自然和合成石英晶体上,石英晶体也被称为“石英晶体”。模具强度的登记,发光,发光,发光,发光,发光,发光,发光,发光,发光,发光。in Vergleich von Lumineszenz- nachleuchtuntersuchungen bei kristallinen Proben mit unschiedlichem Verunreinigungsgrad ight, das bei tiefen Temperaturen die Lumineszenz durch and sich verbotene innere Ubergange (konstimtes Nachleuchten unterhalb 150 K) strahlungsindustrierter defkte (sauerstoffleerstelle - peroxybinding) verursacht wrd。Die Abnahme der oberhalb 180 K registerten Abklingzeit des Nachleuchtens and durch thermisch aktivierte((370±50)meV) strahlunglose Ubergange (Frank-Condon) erklart, Die in Konkurrenz zu den lumineszierenden Ubergangen stehen。北京温控风热释光技术有限公司(behohen temperature - wind - verunreinigungsabhangige Lumineszenz)为800k热释光技术有限公司(bekannten Thermolumineszenz zusammenhangt)。本文介绍了一种新型的石英晶体材料,即石英晶体材料,石英晶体材料,石英晶体材料,石英晶体材料。
On the Nature of Afterglow of the X-Ray Induced Luminescence in Crystalline and Glassy SiO2
The X-ray induced luminescence and its afterglow is investigated in natural and synthetic quartz crystals as well as in different types of glassy SiO2. In all types of SiO2 the luminescence intensity cannot be correlated directly with the impurity content of the investigated samples. A comparison of luminescence afterglow measurements of crystalline samples containing different impurities indicates that at low temperatures the luminescence is caused by forbidden intracenter transitions (constant afterglow below 150 K) of radiation induced defects (oxygen vacancy–peroxy linkage). Above 180 K the decrease of the afterglow decay time is explained by additional thermally activated ((370 ± 50) meV) radiationless (Frank-Codon) transitions, competing the luminous transitions. At high temperatures an impurity dependent luminescence occurs, detectable till 800 K, whose afterglow behavior is to be connected with the well known thermoluminescence. As in the case of silver or copper doped quartz, because of its afterglow behavior, the luminescence of quartz glasses is attributed to intracenter excitations at isolated not yet identified luminescence centers.
Sowohl in naturlichen und synthetischen Quarzkristallen als auch in verschiedenen Quarzglastypen wird die Rontgenlumineszenz beschrieben. Die Intensitat der registrierten Lumineszenz kann in allen untersuchten SiO2-Typen nicht direkt mit dem Fremstoffgehalt korreliert werden. Ein Vergleich von Lumineszenz-Nachleuchtuntersuchungen bei kristallinen Proben mit unterschiedlichem Verunreinigungsgrad zeigt, das bei tiefen Temperaturen die Lumineszenz durch an sich verbotene innere Ubergange (konstimtes Nachleuchten unterhalb 150 K) strahlungsinduzierter Defekte (Sauerstoffleerstelle-Peroxydbindung) verursacht wird. Die Abnahme der oberhalb 180 K registrierten Abklingzeit des Nachleuchtens wird durch thermisch aktivierte ((370 ± 50) meV) strahlungslose Ubergange (Frank-Condon) erklart, die in Konkurrenz zu den lumineszierenden Ubergangen stehen. Bei hohen Temperaturen wird eine verunreinigungsabhangige Lumineszenz bis etwa 800 K beobachtbar, deren Nachleuchtverhalten mit der bekannten Thermolumineszenz zusammenhangt. Ebenso wie im Falle silber- oder kupferdotierter Quarze wird die Lumineszenz von Quarzglasern aufgrund ihres Nachleuchtverhaltens inneren Ubergangen, ansonsten isolierter Lumineszenzzentren, zugeschrieben, welche allerdings bis jetzt unidentifiziert sind.