Олена Михайлівна Ключко, Анатолій Білецький, Владимир Николаевич Шутко, Олена Олегівна Колганова
{"title":"РОЗРОБКА НАУКОВО-МЕТОДИЧНИХ ОСНОВ ЗАХИСТУ ІНФОРМАЦІЇ: ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ШТУЧНОЇ МОЛЕКУЛЯРНОЇ ПАМ’ЯТІ НА ОСНОВІ СПОЛУК – ПОХІДНИХ ФЕНОЛУ","authors":"Олена Михайлівна Ключко, Анатолій Білецький, Владимир Николаевич Шутко, Олена Олегівна Колганова","doi":"10.18372/2410-7840.22.14977","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Пошукові та інженерні роботи, метою яких є створення елементів та пристроїв нано-електронної пам’яті (фізичної молекулярної пам’яті) натепер є надзвичайно актуальними. Інтенсивні роботи у цьому напрямку виконують у тому числі шляхом пошуку нових перспективних хімічних сполук – кандидатів на виконання функцій елементів фізичної молекулярної пам’яті, а також шляхом створення нових фізичних моделей відповідних пристроїв та їх нано-елементів. Метою даної роботи було запропонувати новий тип хімічних сполук ряду похідних фенолу, які потенційно можуть бути застосовані для виконання функцій молекулярної пам’яті для нано-електронних пристроїв, а також розробити фізичну модель такої пам’яті та пояснити механізм її функціонування. Для описаної фізичної моделі штучної молекулярної пам'яті запропоновано застосувати молекули - похідні фенолу із замісниками – поліаміновими ланцюгами, лінійними або розгалудженими, різної довжини та складності. Була розроблена фізична модель молекулярних накопичувачів із властивостями штучної пам’яті. Технічний результат, який може бути отриманий при здійсненні таких робіт, полягає у тому, що запропонований спосіб дозволяє модифікувати та утворювати нові елементи пам’яті штучного походження, а також виконувати тестування їх функціонування шляхом реєстрації електричних струмів через утворений зразок. Зареєстровані струми мають асиметричний характер, демонструючи властивості пам’яті зразка. Запропонована розробка відкриває нові можливості для захисту інформації у подібних інформаційних системах.","PeriodicalId":378015,"journal":{"name":"Ukrainian Information Security Research Journal","volume":"11 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2020-09-30","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Ukrainian Information Security Research Journal","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.18372/2410-7840.22.14977","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
РОЗРОБКА НАУКОВО-МЕТОДИЧНИХ ОСНОВ ЗАХИСТУ ІНФОРМАЦІЇ: ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ШТУЧНОЇ МОЛЕКУЛЯРНОЇ ПАМ’ЯТІ НА ОСНОВІ СПОЛУК – ПОХІДНИХ ФЕНОЛУ
Пошукові та інженерні роботи, метою яких є створення елементів та пристроїв нано-електронної пам’яті (фізичної молекулярної пам’яті) натепер є надзвичайно актуальними. Інтенсивні роботи у цьому напрямку виконують у тому числі шляхом пошуку нових перспективних хімічних сполук – кандидатів на виконання функцій елементів фізичної молекулярної пам’яті, а також шляхом створення нових фізичних моделей відповідних пристроїв та їх нано-елементів. Метою даної роботи було запропонувати новий тип хімічних сполук ряду похідних фенолу, які потенційно можуть бути застосовані для виконання функцій молекулярної пам’яті для нано-електронних пристроїв, а також розробити фізичну модель такої пам’яті та пояснити механізм її функціонування. Для описаної фізичної моделі штучної молекулярної пам'яті запропоновано застосувати молекули - похідні фенолу із замісниками – поліаміновими ланцюгами, лінійними або розгалудженими, різної довжини та складності. Була розроблена фізична модель молекулярних накопичувачів із властивостями штучної пам’яті. Технічний результат, який може бути отриманий при здійсненні таких робіт, полягає у тому, що запропонований спосіб дозволяє модифікувати та утворювати нові елементи пам’яті штучного походження, а також виконувати тестування їх функціонування шляхом реєстрації електричних струмів через утворений зразок. Зареєстровані струми мають асиметричний характер, демонструючи властивості пам’яті зразка. Запропонована розробка відкриває нові можливості для захисту інформації у подібних інформаційних системах.