{"title":"具有多孔LOWK介质缓冲层的内存分配模型","authors":"А. А. Орлов, Е.А. Ганькина, А. А. Резванов","doi":"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.","PeriodicalId":223196,"journal":{"name":"Nanoindustry Russia","volume":"37 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2022-05-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В СТРУКТУРЕ С ЭФФЕКТОМ ПАМЯТИ С ПОРИСТЫМ LOWK-ДИЭЛЕКТРИКОМ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ\",\"authors\":\"А. А. Орлов, Е.А. Ганькина, А. А. Резванов\",\"doi\":\"10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.\",\"PeriodicalId\":223196,\"journal\":{\"name\":\"Nanoindustry Russia\",\"volume\":\"37 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2022-05-27\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Nanoindustry Russia\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Nanoindustry Russia","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.568.571","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В СТРУКТУРЕ С ЭФФЕКТОМ ПАМЯТИ С ПОРИСТЫМ LOWK-ДИЭЛЕКТРИКОМ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ
В работе приведен анализ возможности использования пористого low-k-диэлектрика в качестве буферного слоя в структурах с эффектом памяти. Рассмотрена физика работы мемристора с кобальтитом лития в качестве основного переключающего слоя.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
