基于双凹型波导层的深紫外激光二极管辐射复合特性

IF 0.9 4区 物理与天体物理 Q4 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 激光与光电子学进展 Pub Date : 2023-01-01 DOI:10.3788/lop221705
许愿 Xu Yuan, 魏士钦 Wei Shiqin, 张鹏飞 Zhang Pengfei, 王瑶 Wang Yao, 王芳 Wang Fang, 刘玉怀 Liu Yuhuai
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摘要

本文提出利用双凹波导层来改善深紫外(DUV)激光二极管(LDs)的辐射复合特性。利用Crosslight软件对四种不同的波导层结构进行了仿真研究。结果表明,双凹下波导层的引入提高了空穴的有效势垒高度,有效地抑制了空穴从多量子阱(MQW)区的泄漏,增加了MQW区载流子的浓度。优化后的结构辐射复合率显著提升,具有更好的P-I特性和光学约束因子,为提高DUV LDs的性能提供了一个有效的解决方案。
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本文提出利用双凹波导层来改善深紫外(DUV)激光二极管(LDs)的辐射复合特性。利用Crosslight软件对四种不同的波导层结构进行了仿真研究。结果表明,双凹下波导层的引入提高了空穴的有效势垒高度,有效地抑制了空穴从多量子阱(MQW)区的泄漏,增加了MQW区载流子的浓度。优化后的结构辐射复合率显著提升,具有更好的P-I特性和光学约束因子,为提高DUV LDs的性能提供了一个有效的解决方案。
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