Віктор Олексійович Скачков, Ганна Володимирівна Карпенко, Дмитро Анатолійович Варченко, Андрій Володимирович Нетяга, Микола Миколайович Рябчук
{"title":"用碳化硅模拟复合材料的压制过程","authors":"Віктор Олексійович Скачков, Ганна Володимирівна Карпенко, Дмитро Анатолійович Варченко, Андрій Володимирович Нетяга, Микола Миколайович Рябчук","doi":"10.26661/2071-3789-2023-2-11","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В роботі розглянуті особливості отримання та застосування матеріалів класу С/SiC у вигляді вуглець-карбідокремнієвих конструкцій в різних галузях техніки. Робота спрямована на розробку математичної моделі осадження піролітичного карбіду кремнію на пористу поверхню вуглець-вуглецевих композиційних матеріалів із суміші газів на основі метану CH4 та SiCl4. Піролітичний карбід кремнію утворюються в результаті термічної дисоціації кремнійорганічних сполуктетрахлориду кремния (SiCl4) або метилтрихлорсилану (CH3SiH3). При ущільненні піролітичним карбідом кремнію армованих композиційних матеріалів кремнійорганічні сполуки в зону реакції потрапляють спільно з воднем або метаном, які одночасно є газом-відновником і газом носієм. Процес осадження чистого карбіду кремнію конкурує з осадженням вуглецю та суміші карбіду кремнію з вуглецем. Тому одним з завдань роботи є забезпечення таких умов протікання гомогенно-гетерогенних процесів, які б реалізувати осадження чистого SiC. При піролізі метилтрихлорсилану в інтервалі температур 800-1000°С утворюється SiC високої щільності та фіолетового відтінку. З підвищенням температури піролізу метилтрихлорсилану колір покриття переходить у сірий. Розмір кристалів становить близько 22 нм. Вихід SiC знаходиться в межах 25 – 35%. Максимальний вихід кремнію карбіду спостерігається в інтервалі температур 1250 – 1500 °C. Підвищення температури до 1600 °C не істотно впливає на вихід SiC. В процесі дослідження встановлено, що найбільш актуальним є хіміко-термічне осадження з газової суміші метану та тетрахлориду кремнію під час якого досягається стехіометричне осадження SiC без ушкодження вуглецевих волокон у карбонизированних вуглепластиках з карбідизованою матрицею. В роботі визначені теоретичні константи рівноваги уявленнях термохімічних реакцій. Визначено формули для оцінки продуктивності термохімічного реактора в умовах квазірівноважного режиму осадження карбіду кремнію.","PeriodicalId":152054,"journal":{"name":"Scientific Journal \"Metallurgy\"","volume":" 11","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-05-10","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ УЩІЛЬНЕННЯ КОМПОЗИЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ ПІРОКАРБІДОМ КРЕМНІЮ\",\"authors\":\"Віктор Олексійович Скачков, Ганна Володимирівна Карпенко, Дмитро Анатолійович Варченко, Андрій Володимирович Нетяга, Микола Миколайович Рябчук\",\"doi\":\"10.26661/2071-3789-2023-2-11\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"В роботі розглянуті особливості отримання та застосування матеріалів класу С/SiC у вигляді вуглець-карбідокремнієвих конструкцій в різних галузях техніки. Робота спрямована на розробку математичної моделі осадження піролітичного карбіду кремнію на пористу поверхню вуглець-вуглецевих композиційних матеріалів із суміші газів на основі метану CH4 та SiCl4. Піролітичний карбід кремнію утворюються в результаті термічної дисоціації кремнійорганічних сполуктетрахлориду кремния (SiCl4) або метилтрихлорсилану (CH3SiH3). При ущільненні піролітичним карбідом кремнію армованих композиційних матеріалів кремнійорганічні сполуки в зону реакції потрапляють спільно з воднем або метаном, які одночасно є газом-відновником і газом носієм. Процес осадження чистого карбіду кремнію конкурує з осадженням вуглецю та суміші карбіду кремнію з вуглецем. Тому одним з завдань роботи є забезпечення таких умов протікання гомогенно-гетерогенних процесів, які б реалізувати осадження чистого SiC. При піролізі метилтрихлорсилану в інтервалі температур 800-1000°С утворюється SiC високої щільності та фіолетового відтінку. З підвищенням температури піролізу метилтрихлорсилану колір покриття переходить у сірий. Розмір кристалів становить близько 22 нм. Вихід SiC знаходиться в межах 25 – 35%. Максимальний вихід кремнію карбіду спостерігається в інтервалі температур 1250 – 1500 °C. Підвищення температури до 1600 °C не істотно впливає на вихід SiC. В процесі дослідження встановлено, що найбільш актуальним є хіміко-термічне осадження з газової суміші метану та тетрахлориду кремнію під час якого досягається стехіометричне осадження SiC без ушкодження вуглецевих волокон у карбонизированних вуглепластиках з карбідизованою матрицею. В роботі визначені теоретичні константи рівноваги уявленнях термохімічних реакцій. Визначено формули для оцінки продуктивності термохімічного реактора в умовах квазірівноважного режиму осадження карбіду кремнію.\",\"PeriodicalId\":152054,\"journal\":{\"name\":\"Scientific Journal \\\"Metallurgy\\\"\",\"volume\":\" 11\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2024-05-10\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Scientific Journal \\\"Metallurgy\\\"\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.26661/2071-3789-2023-2-11\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Scientific Journal \"Metallurgy\"","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.26661/2071-3789-2023-2-11","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ УЩІЛЬНЕННЯ КОМПОЗИЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ ПІРОКАРБІДОМ КРЕМНІЮ
В роботі розглянуті особливості отримання та застосування матеріалів класу С/SiC у вигляді вуглець-карбідокремнієвих конструкцій в різних галузях техніки. Робота спрямована на розробку математичної моделі осадження піролітичного карбіду кремнію на пористу поверхню вуглець-вуглецевих композиційних матеріалів із суміші газів на основі метану CH4 та SiCl4. Піролітичний карбід кремнію утворюються в результаті термічної дисоціації кремнійорганічних сполуктетрахлориду кремния (SiCl4) або метилтрихлорсилану (CH3SiH3). При ущільненні піролітичним карбідом кремнію армованих композиційних матеріалів кремнійорганічні сполуки в зону реакції потрапляють спільно з воднем або метаном, які одночасно є газом-відновником і газом носієм. Процес осадження чистого карбіду кремнію конкурує з осадженням вуглецю та суміші карбіду кремнію з вуглецем. Тому одним з завдань роботи є забезпечення таких умов протікання гомогенно-гетерогенних процесів, які б реалізувати осадження чистого SiC. При піролізі метилтрихлорсилану в інтервалі температур 800-1000°С утворюється SiC високої щільності та фіолетового відтінку. З підвищенням температури піролізу метилтрихлорсилану колір покриття переходить у сірий. Розмір кристалів становить близько 22 нм. Вихід SiC знаходиться в межах 25 – 35%. Максимальний вихід кремнію карбіду спостерігається в інтервалі температур 1250 – 1500 °C. Підвищення температури до 1600 °C не істотно впливає на вихід SiC. В процесі дослідження встановлено, що найбільш актуальним є хіміко-термічне осадження з газової суміші метану та тетрахлориду кремнію під час якого досягається стехіометричне осадження SiC без ушкодження вуглецевих волокон у карбонизированних вуглепластиках з карбідизованою матрицею. В роботі визначені теоретичні константи рівноваги уявленнях термохімічних реакцій. Визначено формули для оцінки продуктивності термохімічного реактора в умовах квазірівноважного режиму осадження карбіду кремнію.