А.Ш. Раззоков, А. С. Саидов, С.И. Петрушенко, С. В. Дукаров, Д.Э. Кошчанова, Р.М. Отажонова
{"title":"从锡熔体溶液中生长出变异型 Si1-xGex 固溶体过程中成分聚类的影响","authors":"А.Ш. Раззоков, А. С. Саидов, С.И. Петрушенко, С. В. Дукаров, Д.Э. Кошчанова, Р.М. Отажонова","doi":"10.52304/.v26i2.522","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.","PeriodicalId":6339,"journal":{"name":"«Узбекский физический журнал»","volume":" 42","pages":""},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2024-07-05","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":"{\"title\":\"Влияние кластерообразования компонентов при выращивании варизонного твердого раствора Si1-xGex из оловянного раствора-расплава\",\"authors\":\"А.Ш. Раззоков, А. С. Саидов, С.И. Петрушенко, С. В. Дукаров, Д.Э. Кошчанова, Р.М. Отажонова\",\"doi\":\"10.52304/.v26i2.522\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.\",\"PeriodicalId\":6339,\"journal\":{\"name\":\"«Узбекский физический журнал»\",\"volume\":\" 42\",\"pages\":\"\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"2024-07-05\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"0\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"«Узбекский физический журнал»\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.52304/.v26i2.522\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"«Узбекский физический журнал»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.52304/.v26i2.522","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Влияние кластерообразования компонентов при выращивании варизонного твердого раствора Si1-xGex из оловянного раствора-расплава
Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
分享
求助内容：
应助结果提醒方式：
扫码关注我们
