【CCS Chem.】中国科学技术大学刘庆华：活性位点转化促进碳包覆铜氧化物电化学生成H₂O₂

中国科学技术大学刘庆华团队开发了一种碳包覆氧化铜（Cu-800@C）材料，通过原位同步辐射技术揭示了其活性位点由铜位点向碳位点的转化，从而抑制了四电子氧还原过程，促进了H2O2的选择性生成。该材料在碱性环境中表现出98%的H2O2选择性和长达60小时的耐久性，为高效、耐久的H2O2电合成提供了新思路。研究背景为H2O2在多个领域的广泛应用及其工业生产的高能耗和环境风险，研究目的在于提升电化学合成H2O2的效率和选择性。结论表明，Cu-800@C材料通过活性位点转化和碳包覆策略，显著提高了H2O2的电合成性能和稳定性。