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上海科技大学纪清清团队 | 短沟道二维晶体管中的掺杂诱导辅助隧穿效应

RSC英国皇家化学会 2024-09-29 11:00

文章摘要

本文由上海科技大学纪清清团队发表，研究了短沟道二维晶体管中的掺杂诱导辅助隧穿效应。文章首先介绍了短沟道效应对硅基晶体管尺寸缩小的限制，并指出二维半导体如二硫化钼（MoS2）在短沟道电子器件中的应用潜力。研究目的在于探讨V掺杂MoS2在短沟道下的电学特性，通过密度泛函理论（DFT）和量子输运模拟，揭示了V掺杂位点在短沟道下具有辅助隧穿效应和杂质散射的双重电子学功能。结论表明，V掺杂位点在不同沟道长度下表现出不同的电子效应，可以通过调整沟道长度来调制这些效应，从而加深了对掺杂二维材料短沟道电学特性的认识。

上海科技大学纪清清团队 | 短沟道二维晶体管中的掺杂诱导辅助隧穿效应

查看文献： Dopant-mediated carrier tunneling in short-channel two-dimensional transistors†
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