武汉大学「国家杰青」团队,最新Nature大子刊,90后青年学者一作兼通讯!
高分子科学前沿
2024-10-22 07:56
文章摘要
本文介绍了武汉大学何军教授和李叶生特聘副研究员团队在忆阻器领域的最新研究成果。研究团队展示了使用二维范德华金属材料(如石墨烯和铂二碲化物)作为阴极的忆阻器,这些忆阻器具有模拟电阻开关和大开/关比,开关比高达108,电导状态超过8位,功耗为阿焦耳级。研究还展示了这些忆阻器在卷积神经网络中的应用,实现了高识别精度的芯片级仿真。该研究为高性能、低功耗的神经形态计算提供了新的可能性,展示了范德华材料在忆阻器中的应用潜力。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。