南科大黎长建、李江宇，湘潭大学谢淑红Small Methods：PLD制备单晶外延Al₁₋ₓScₓN铁电压电薄膜

本文介绍了南方科技大学黎长建副教授、李江宇教授团队与湘潭大学谢淑红教授团队合作，利用脉冲激光沉积（PLD）技术在蓝宝石和4H-SiC单晶基底上制备高质量的Al₁₋ₓScₓN外延薄膜的研究。研究背景指出，AlN因其压电性能被广泛用于声表面波和体声波滤波器中，但纯AlN的压电系数较低。通过Sc掺杂，Al₁₋ₓScₓN的压电系数显著提高，使其成为高频、高带宽RF滤波器的理想材料。研究结果显示，Sc掺杂的Al₁₋ₓScₓN薄膜在压电和铁电性能上均有显著提升，极化强度可达140 μC/cm²，远超传统铁电材料。该研究为Al₁₋ₓScₓN薄膜的制备和性能优化提供了重要数据，并展示了其在高温稳定性和铁电存储器应用中的潜力。