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新一代低能耗晶体管: 功耗指标 3⃣ 数量级 < 已报道所有晶体管

RSC英国皇家化学会 2024-11-11 14:16

文章摘要

本文介绍了新一代低能耗晶体管的研究进展，由重庆三峡学院谭兴毅教授、南京理工大学张胜利教授和华中科技大学傅华华教授等共同提出。研究背景聚焦于晶体管尺寸缩小带来的功耗增加问题，探讨了降低电源电压的有效机制。研究内容展示了利用二维材料的金属-半导体相变结合隧道场效应设计的新型晶体管，该晶体管在极低电源电压（0.05/0.10 V）和极短栅极长度（3~5 nm）下，其开态电流、功耗延迟积和延迟时间等关键参数均满足国际半导体技术路线图（ITRS）的要求，且功耗延迟积和延迟时间显著小于当前所有报道的晶体管。这一设计为下一代低功耗电子设备提供了新思路，对推动电子设备向更高能效和更小体积发展具有重要意义。

新一代低能耗晶体管: 功耗指标 3⃣ 数量级 < 已报道所有晶体管

查看文献： A next-generation transistor with low supply voltage operation constructed based on 2D materials' metal–semiconductor phase transition†
查看期刊：Materials Horizons

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