基于固-液-固机理生长的掺杂硅纳米线

计算材料学 2024-11-16 08:34
文章摘要
本文介绍了一种基于固-液-固生长机制的改进铝还原法,用于合成锡掺杂硅纳米线。该方法在常压低温(250-300°C)下,利用稳定、丰富且可持续的二氧化硅源(如硅藻土、稻壳)进行合成,避免了传统方法中昂贵的金属催化剂和高能耗的问题。合成的锡掺杂硅纳米线作为锂离子电池负极材料,表现出优异的电化学性能,首次库伦效率高达85.4%,在4 A g-1电流密度下经过500次循环后仍保持1133 mAh g-1的较高可逆容量。该研究为低温合成金属掺杂硅纳米线开辟了新的途径,并具备推广至其他金属掺杂纳米线合成的潜力。
基于固-液-固机理生长的掺杂硅纳米线
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