河南大学,今日第一单位Nature!
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2024-11-21 07:34
文章摘要
本文由北京交通大学、中国科学技术大学和河南大学的研究者合作,通过电激发瞬态吸收光谱(EETA)分析,揭示了基于绿色磷化铟(InP)的量子点发光二极管(QD-LEDs)效率低的原因。研究发现,ZnSeS中间层的高注入势垒限制了电子浓度,导致陷阱饱和度不足,从而影响了QD-LEDs的效率和寿命。研究者提出通过替换ZnSeS中间层为纯ZnSe层,并增加其厚度,以改善电子注入和减少电子泄漏,最终实现了26.68%的峰值外量子效率(EQE)和超过1,000小时的T95寿命,刷新了记录。这一研究为无镉QD-LEDs的优化提供了新的策略和理论支持。
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