研究透视：沈志勋/UW许晓栋-分数陈氏绝缘体MoTe2 | Nature

本文报道了美国斯坦福大学和华盛顿大学的研究人员在Nature上发表的研究成果，他们利用微波阻抗显微镜在二维转角碲化钼MoTe2中实现了分数陈氏绝缘体（FCI）边缘态的成像。研究背景是分数量子霍尔效应作为量子多体拓扑现象的重要例子，而分数陈氏绝缘体是零磁场下的一种新型拓扑绝缘体。研究目的在于验证分数陈氏绝缘体的体-边对应关系，即绝缘体内部和导电边缘态的存在。通过调节载流子密度，研究人员观察到系统在金属态和FCI态之间的演化，并确认了FCI态的绝缘体和导电边缘态。结论指出，这些发现为研究零磁场下各种任意子态之间的拓扑保护一维界面铺平了道路。