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Npj Comput. Mater.: 存储器的电写磁读：有赖二维磁电耦合异质结构？

知社学术圈 2024-12-12 11:29

文章摘要

本文探讨了二维铁电In2Se3和铁磁MnI₃材料构建的In₂Se₃/MnI₃异质结的磁电耦合特性。研究通过第一性原理计算方法，分析了异质结的结构稳定性、界面接触特性及其对磁电耦合效应的影响。研究发现，In₂Se₃/MnI₃异质结具有良好的稳定性和可行性，且通过调控铁电层In2Se3的极化方向，可以实现界面磁性的调控。此外，研究还探讨了层间距离对异质结磁电耦合效应的影响，为设计下一代自旋电子学和非易失性存储器件提供了新的思路。

Npj Comput. Mater.: 存储器的电写磁读：有赖二维磁电耦合异质结构？

查看文献： Tunable Schottky barriers and magnetoelectric coupling driven by ferroelectric polarization reversal of MnI3/In2Se3 multiferroic heterostructures
查看期刊：npj Computational Materials

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