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上海交通大学，Nature Electronics！

纳米人 2024-12-19 08:44

文章摘要

近年来，二维材料如过渡金属二硫族化物（TMDs）因其高载流子迁移率和可调带隙在半导体领域备受关注。然而，实际应用中实现高迁移率器件面临挑战，尤其是在低温和低载流子密度下。上海交通大学的研究团队提出了一种新的窗口接触方法，结合低熔点半金属如铋，成功在n型高迁移率MoS2晶体管中实现了高质量的欧姆接触，并探测到分数量子霍尔效应。这种方法显著改善了接触电阻，扩展了对低载流子密度下量子输运行为的研究，为低温纳米电子学应用提供了新的技术路径。

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