研究透视：MIT/三星-新3D芯片-无需硅基板 二维半导体TMDs | Nature-书囊无底

本文介绍了麻省理工学院和三星综合技术院联合开发的一种新型3D半导体集成技术，该技术能够在非晶和多晶表面上低温生长单晶沟道材料，特别是过渡金属二硫属化物（TMDs），从而实现无需硅基板的垂直堆叠芯片集成。这一技术不仅保护了底层电路，还实现了垂直单晶逻辑晶体管阵列的无缝单片集成，为高性能晶体管、内存和逻辑元件的集成提供了新的可能性，颠覆了传统的硅基底限制。