低功耗热发射极晶体管

本文介绍了一种基于石墨烯和锗混合维度材料体系的热发射极晶体管，旨在解决传统晶体管功耗高的问题。通过引入“受激发射”热载流子生成机制，该晶体管实现了低于1 mV/dec的超低亚阈值摆幅和超过100 μA/μm的开态电流，展示了其在低功耗和多功能集成电路中的应用潜力。研究结果表明，该晶体管在室温下展现出峰谷电流比超过100的负微分电阻特性，为后摩尔时代的高性能晶体管设计提供了新的思路。