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二维材料,再登Nature大子刊!

纳米人 2024-12-24 08:59
文章摘要
本文探讨了二维过渡金属硫化物(2D TMDs)在三维晶体管架构中的应用,特别是纳米片场效应晶体管(NSFET)与纳米叉场效应晶体管(NFFET)的设计。研究通过量子输运模拟与密度泛函理论(DFT)计算,评估了三层硫化钨(WS2)作为通道材料的性能,发现其能量-延迟积(EDP)比硅基器件提升了超过55%。此外,提出的二维纳米板场效应晶体管(NPFET)在集成密度和驱动电流方面较硅基器件提升了近十倍。研究结果表明,二维材料在超薄沟道厚度下具有高载流子迁移率和良好的静电控制,为未来CMOS技术的扩展提供了新的可能性。
二维材料,再登Nature大子刊!
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