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北京大学孙仲、罗宇标，清华大学乔飞AELM综述：电容与电导补偿方法使能高效存内计算

MaterialsViews 2024-12-27 08:30

文章摘要

本文由北京大学孙仲团队和清华大学乔飞团队共同撰写，系统综述了存内计算架构中的补偿策略，特别是基于电容和电导的补偿方法。文章首先介绍了传统冯·诺依曼架构在处理数据密集型任务时遇到的瓶颈，进而提出了存内计算架构的优势。通过详细阐述SRAM和RRAM存内计算架构中的成对和整体电容补偿方法，以及成对和整体电导补偿方法，作者展示了这些方法如何简化电路设计并提高计算效率。文章最后总结了补偿方法在存内计算架构设计中的重要性，强调了其在减少面积和能耗、解决复杂问题方面的潜力。

北京大学孙仲、罗宇标，清华大学乔飞AELM综述：电容与电导补偿方法使能高效存内计算

查看文献： Capacitance and Conductance Compensation Methods for Efficient Computing-In-Memory Designs
查看期刊：Advanced Electronic Materials

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