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西电常晶晶、林珍华、高香香AELM：基于溶液法的Ga₂O₃光突触忆阻器

MaterialsViews 2024-12-30 09:16

文章摘要

本研究由西安电子科技大学常晶晶课题组开展，主要探讨了基于溶液法制备的Ga₂O₃光突触忆阻器的性能及其在神经形态视觉领域的应用潜力。研究背景指出，人脑通过神经元和突触进行信息处理，而阻变存储器（RRAM）因其结构类似于生物突触，被视为模拟生物突触功能的重要候选者。研究目的旨在通过优化溶液浓度和退火温度，实现非易失性存储，并观察器件在紫外信号刺激下的突触行为。研究结果表明，该器件具有高开关比和长阻态稳定保持时间，能够模拟兴奋性突触后电流和双脉冲易化等突触行为，展示了其在模拟学习-遗忘过程中的应用潜力。结论认为，基于Ga₂O₃ RRAM的光突触器件在神经形态视觉领域具有巨大的应用前景。

西电常晶晶、林珍华、高香香AELM：基于溶液法的Ga₂O₃光突触忆阻器

查看文献： Photo-synaptic Memristor Devices from Solution-processed Ga2O3 Thin Films
查看期刊：Advanced Electronic Materials

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