斯坦福大学，Science！

本文介绍了斯坦福大学Eric Po教授课题组与亚洲大学Il-Kwon Oh教授合作在《Science》上发表的研究成果，主要探讨了非晶磷化铌（NbP）薄膜在超薄尺寸下的低电阻特性。研究背景指出，超薄低电阻导体在纳米电子学中至关重要，但传统金属材料在纳米尺度下因电子与表面散射导致电阻率显著增加。研究目的是寻找电阻率低且具备表面导电特性的材料。通过低温沉积方法，研究团队制备了厚度小于5纳米的NbP薄膜，发现其在室温下的电阻率显著低于传统金属，尤其是1.5纳米厚的NbP薄膜，其电阻率比块体NbP薄膜低六倍。结论表明，非晶NbP薄膜在超薄尺度下表现出与传统金属完全不同的电阻率趋势，表面导电通道是电阻率降低的根本原因，这一发现为未来高密度电子器件中的低电阻率互连提供了创新性的技术路径。