院士领衔，北京科技大学，2025年首篇Nature Materials！

本文由北京科技大学的张跃院士和张铮教授领衔，研究了一种新型的二维直拉（2DCZ）方法，用于生长厘米级、高质量的单晶MoS2。该方法通过使用低熔点前驱体和化学过程实现液-固转变，克服了传统化学气相沉积（CVD）方法中的高成核密度和慢生长速率问题。研究结果表明，2DCZ方法能够实现75μm/s的生长速率，显著提高了单晶MoS2的尺寸和质量。此外，基于MoS2的场效应晶体管显示出高产量和极小的迁移率波动，表明其在先进电子器件中的应用潜力。这项研究为大规模、高质量二维半导体材料的生产提供了新的技术路径，并有望推动二维材料技术的工业应用。