湖北汽车工业学院熊永臣团队在PRB发表多阶段Kondo屏蔽相关研究成果

本文介绍了湖北汽车工业学院熊永臣团队在Physical Review B上发表的研究成果，探讨了侧耦合四杂质Anderson模型中的多阶段磁矩屏蔽现象。研究背景基于分子电子学领域的需求，旨在理解分子功能中心与环境相互作用对分子器件设计的影响。研究目的是通过调节中心-配体跳跃积分和在位库仑排斥势，揭示磁矩的多阶段屏蔽机制及其对输运性质的影响。研究结论表明，磁矩会经历两阶段或三阶段的屏蔽，这些屏蔽过程与Kondo效应的出现和消失相关，且不同于先前报道的典型三阶段Kondo效应。研究采用了数值重整化群方法，结合数值模拟和解析论证，为理解低维量子材料中的量子物性提供了新的视角。