ACS Mater. Lett.‌：通过Co插层提高TaS2光电探测器的器件稳定性

本研究探讨了通过Co插层技术提高TaS2光电探测器的稳定性。二维材料因其大比表面积而对环境因素敏感，影响其稳定性和可靠性。研究比较了2H-TaS2和Co0.22TaS2晶体的光电响应，发现Co插层显著增强了器件的稳定性和性能。实验结果显示，插层器件的响应时间缩短至182 μs，且在大气条件下两个月后光响应度仍保持在98.8%。DFT计算表明，插层原子有效阻止了水氧分子进入范德华层间，减少了层间氧化和光化学反应，从而提高了材料的抗降解能力和稳定性。该研究为提高二维光电器件的稳定性和耐用性提供了有效方法。