南京大学余林蔚教授团队Nature子刊:高性能薄膜晶体管器件新进展!
纳米人
2025-01-25 16:46
文章摘要
南京大学余林蔚教授团队在Nature Communications期刊上发表了一项关于高性能薄膜晶体管(TFT)器件的研究。该研究针对在大面积电子器件上集成超细、超短晶硅纳米线沟道的技术挑战,提出了一种基于面内固-液-固(IPSLS)生长模式的创新方法。通过利用催化“液滴阶跳”生长动态,团队成功实现了在低温条件下(<350℃)精确控制纳米线沟道的生长,制备出直径小于30 nm、长度小于100 nm的精细沟道结构。这种新型TFT器件展示了高开关比(8×10^7)和低亚阈值摆幅(70 mV/dec)的优异性能,为新一代高性能显示、柔性电子和脑机接口应用提供了新的技术路径。
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