湖南大学/河南省科学院 Adv.Funct.Mater.：面向全氧化物互补逻辑电路的高迁移率研究：通过铥掺杂实现高性能SnO：！

本文由湖南大学廖蕾、邹旭明与河南省科学院洪若豪等人合作，发表在Advanced Functional Materials期刊上，提出了一种新型铥（Tm）掺杂策略，通过改变p型氧化锡（SnO）中氧间隙的形成能，显著提升了SnO薄膜的电学性能。研究背景在于p型氧化物半导体在推动可扩展互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中的潜力，但其开发面临电子结构复杂和补偿性本征缺陷等挑战。研究目的是通过Tm掺杂策略，实现高迁移率的SnO薄膜，并构建高性能的互补逻辑电路。实验结果显示，Tm掺杂的SnO薄膜展现出高达284.0 ± 3.0 cm² V⁻¹ s⁻¹的霍尔迁移率和12.8 cm² V⁻¹ s⁻¹的场效应空穴迁移率，开关比超过10⁴。基于Tm掺杂SnO薄膜晶体管（TFTs）构建的互补逻辑电路，包括反相器、NAND和NOR门，其中反相器展现出接近800的超高增益和85.7%的宽噪声容限，显著优于现有同类器件。结论表明，Tm掺杂策略有效提升了SnO薄膜的电学性能，为未来TFT技术的发展提供了新的方向。