博士生一作！北京大学「国家杰青」团队， Nature Materials！

本文介绍了北京大学彭海琳教授团队在Nature Materials上发表的最新研究，该研究聚焦于二维半导体材料在环栅晶体管（GAAFET）中的应用。随着硅基半导体技术接近其性能极限，二维半导体因其优异的电学性能和与未来三维集成平台的兼容性，被视为突破现有技术瓶颈的关键。研究团队设计并制备了基于高迁移率二维半导体Bi2O2Se与其高κ介电层Bi2SeO5的GAA异质结构，成功实现了低温M3D集成策略。实验结果显示，该结构具有极低的界面陷阱密度、高电子迁移率、近乎理想的亚阈值摆幅和高开关比，且能在低电压下稳定工作。这一研究不仅突破了硅基材料的性能极限，还为未来低功耗、高性能电子器件的设计提供了新的理论基础和技术路径。