中南大学，最新Nature大子刊!

本文由中南大学刘敏教授与慕尼黑纳米研究所Emiliano Cortés教授合作，研究了一种通过引入金属空位(VM)来增强过渡金属氧化物半导体中空穴迁移率的策略。该策略通过降低空穴的有效质量，显著提高了空穴迁移率，如在WO3中提高了430%。研究通过DFT计算和实验验证了VM对能带结构的影响，并应用于光电化学水分解，显著提高了光电流效率和稳定性。研究结果表明，VM的引入不仅提高了载流子分离效率，还增强了材料的长期稳定性，为光电化学装置的应用提供了新的可能性。