浙江大学金一政团队/剑桥- 量子点发光二极管 | Nature Electronics

本文由浙江大学金一政团队与剑桥大学合作，发表在《Nature Electronics》上，研究了量子点发光二极管（QLEDs）的瞬态电致发光响应特性。研究发现，QLEDs的响应速度受脉冲操作中的激发历史影响，当脉冲间隔减少时，响应速度显著提高，并出现额外的快速响应电致发光通道，表明存在激发-记忆效应。这种效应由有机空穴传输层中的深能级空穴阱引起，具有快速电荷俘获和慢速电荷释放的特性。团队还开发了一种低电容微量子点发光二极管（micro-QLED），利用激发记忆效应实现了更高的调制速率和数据传输能力，其-3dB带宽高达19MHz，电致发光调制频率为100MHz，数据传输速率高达120Mbps，能耗低于皮焦耳。