研究位错，发一篇Nature Materials！

本文介绍了英国利兹大学Sang T. Pham和Sean M. Collins等人在《Nature Materials》上发表的研究，提出了一种低剂量、单次曝光的扫描电子衍射（SED）方法，用于分析分子晶体中的位错。这种方法克服了传统电子显微镜在分析分子材料时的高电子剂量限制，能够在低至5 e– Å−2的电子剂量下实现纳米级分辨率的位错分析。研究展示了该方法在多种晶体类型中的应用，包括有机光电材料、蜡和制药材料，揭示了位错的特性和作用滑移系统。此外，研究还通过几何模型和成分符号分析，确定了Burgers矢量的方向，并探讨了位错核心中分子间相互作用对材料性能的影响。这一方法为分子晶体及其他材料中位错的常规分析提供了新的技术路径，并推动了相关领域的研究进展。